PROGRAM
プログラム
日時：２０２３年 １１月３０日（木曜） １０時～
場所：名古屋大学 TELオーディトリアム（EI創発工学館 3階）
主催：名古屋大学 ディープテック・シリアルイノベーションセンターVBL
共催：公益財団法人 日比科学技術振興財団
費用：無料
１０：００～１０：１０
開会の挨拶 および シンポジウムスコープ
出来 真斗（ディープテック・シリアルイノベーションセンター）
１０：１０～１０：５５
第一原理計算によるワイドギャップ半導体の結晶成長と物性解析
河村 貴宏（三重大学 工学研究科 助教）
１０：５５～１１：４０
低転位密度GaN中に存在する点欠陥トラップの評価
堀田 昌宏（名古屋大学 工学研究科 准教授）
１１：４０～１３：００
休憩
１３：００～１３：４５
走査型非線形誘電率顕微鏡の次世代パワーエレクトロニクス材料評価への応用
山末 耕平（東北大学 電気通信研究所 准教授）
１３：４５～１４：３０
光電子分光法によるGaN表面および絶縁膜/GaN界面の化学・電子状態評価
大田 晃生（福岡大学 理学部 物理科学科 准教授）
１４：３０～１４：３５
休憩
１４：３５～１５：２０
大気圧熱プラズマジェット照射によるイオン注入されたGaN中不純物の活性化
花房 宏明（広島大学 先進理工系科学研究科 准教授）
１５：２０～１６：０５
パワーエレクトロニクス機器の高付加価値を創出するGaNデバイス応用技術とその周辺技術
今岡 淳（名古屋大学 未来材料・システム研究所 准教授）
１６：０５～１６：１０
閉会の挨拶
出来 真斗
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お問い合わせ
名古屋大学ディープテック・シリアルイノベーションセンター
出来 真斗
deki[at]nagoya-u.jp
052-789-5451