ナノテクノロジープラットフォーム（先端施設共同利用）
Nanotech Platform
文部科学省 「ナノテクノロジープラットフォーム・名古屋大学微細加工コンソーシアム」に参画し、最先端の設備の共同利用を産官学の研究者に推進しています。
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーは「高次機能ナノプロセスに関する研究」を中心テーマとし，半導体，量子デバイス，有機・生物分子・機能材料など，将来の産業を支える基盤技術の研究開発を推進するための研究機関です。研究施設は200m^2のクリーンルームに微細加工装置、薄膜作製装置の他、クリーンドラフトや超純水装置などの半導体ナノプロセスに必要な設備が整っています。
装置利用について
- 装置をご利用になりたいときは、
- ①装置の運用担当者に電子メール等にて連絡し、実施が可能であるか協議してください。また、技術相談も行っております。
- ②実施可能な場合は、「名大微細加工PF利用登録申請書（様式6）」をＶＢＬ事務室に提出しＶＢＬ長の承認を得てください。
- ○年度ごとに申請を行っていただきます。年度をまたいでの継続利用には新たに申請を行っていただく必要がありますので。ご注意下さい。
- ○本支援は、成果を公開することが前提となっております。年度末には、報告書を作成していただくことになります。
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料金は、学外利用者が非営利目的にて自ら操作する場合の金額です．その取扱については別途協議します．その他の装置利用につきましても，ご相談下さい．
担当：岸本 茂 
薄膜作製装置群
薄膜作製装置群
分子線エピタキシー(MBE)装置 （装置番号：24）
エイコーエンジニアリング社製
ｋセル8系統：Ga,As,In,Al,Si,Be
対応基板サイズ：最大2インチ
RHEED付・Ⅲ－Ⅴ族 セル8基
20,800円/日
分子線エピタキシー装置（MBE）は，液体窒素シュラウド付超高真空の成長室，加熱処理室，試料導入室より構成され，1nm以下の超格子薄膜を形成することができます．原料はGa，As，Al，InでドーパントはSi，Be，表面処理用原子状水素源を装備し化合物半導体，量子ドット，ナノワイヤなど最先端の半導体ナノ構造の研究に利用できます．
電子ビーム蒸着装置 （装置番号：25）
EBX-10D アルバック社製
最大投入電力：5kW
るつぼ数4、
ハースライナー使用
1100円/時間
デバイスの電極形成によく利用される電子ビーム蒸着装置は，高融点金属や酸化物をナノメータのオーダーで成膜することができます． ハースは4連レボルバー式で多層膜の形成も容易に行うことができますし，基板ホルダーもレボルバー式なので膜厚を変えた複数の試料を比較的短時間で作製することができます．
ECRスパッタ成膜装置 （装置番号：26）
AFTEX-3420 MESアフティ社製
対応基板サイズ：最大3インチ
酸化膜、窒化膜用
1100円/時間
スパッタ絶縁膜作製装置は，ECRプラズマと13.56 MHzの高周波を使って緻密な絶縁膜を作製する装置です．通常ターゲット材料はシリコンを装着ており，シリコン酸化膜，窒化膜の形成に利用していますが，ターゲットをアルミニウムに換えることも可能です．
微細構造作製装置群
微細構造作製装置群
レーザーリソグラフィ （装置番号：22）
DWL66FS Heidelberg Instruments社製
最小描画サイズ：0.6μm
最大描画サイズ：200mmX200mm
直描およびガラスマスク作製 1100円/時間
レーザー描画装置は，直描で最小寸法0.6 μmの高精細なパターンが形成できますので，高周波電子デバイスなどの試作研究に利用できます．ビームフォーカスは光学と空圧の2方式がありますので，反射率の高い基板にも対応できます．また，ガラスマスクの作製も可能なので，マスクアライナ（フォトリソグラフィ）と併用して，電子デバイス，バイオセンサ，ナノチューブトランジスタ等のパターン形成に使われています．
反応性プラズマエッチング装置は，異方性エッチングに優れ微細パターンを作製することができます．エッチング装置はICP方式とCCP方式の装置を利用できますが，サンプルで使い分けています． どちらの装置もレシピ機能と自動化で再現性の良いエッチングが可能です．
ICPエッチング装置 （装置番号：27）
CE-300I アルバック社製
化合物エッチング
対応基板サイズ：最大6インチ
プロセスガス：Cl2
1,500円/時間
18200円/1回
ICPエッチング装置は，GaN，GaAsなど化合物半導体用でプロセスガスはCl2となります。ICPはプラズマ密度が高いのでエッチングレートは速く、イオンエネルギーが低いことから、結晶面へのダメージを抑えることができますのでトランジスタなどの作製に有効です．
RIEエッチング装置 （装置番号：28）
RIE-10NR サムコ社製
シリコン系エッチング
対応基板サイズ：最大8インチ
プロセスガス：CF4,Ar,O2
1100円/時間
CCP式エッチング装置（RIEエッチング装置）は，シリコン半導体用でプロセスガスはCF4,SF6,O2が利用できます．
フォトリソグラフィ （装置番号：23）
K310P100S 共和理研社製
最大2インチ基板、マスク3インチ、最小パタンサイズ：2μm
波長 365nm
900円/時間
ナノ構造評価装置群
ナノ構造評価装置群
電界放出形走査電子顕微鏡（FE-SEM）は0.5nmの分解能でナノメートルの試料構造を観察することができます．X線分析装置(EDX)を装備していますので表面元素の定性・定量・面分析ができます．もう一台1.5nm分解のSEMは大型試料の観察に適しており，サンプルに応じてどちらのSEMも利用することができます．また，段差計は触針式なので精度よくナノメータの形状観察や膜厚の測定に利用できます．その他，評価装置として顕微ラマン分光装置，オージェ電子分光装置（AES）などありますので必要に応じて対応いたします．
高分解能走査型電子顕微鏡 （装置番号：29）
SEM5200 日立ハイテクフィールディング社製
加速電圧0.5kV～30kV 分解能0.5nm(30kV) 倍率～2,000,000
最大試料サイズ5mmX9.5mm
空間分解能 0.5nm
1,600円/時間
走査電子顕微鏡 （装置番号：74）
S-4300 日立ハイテクフィールディング社製
加速電圧：0.5kV～15kV
分解能：1.5nm(15kV)
倍率：～500,000
最大試料サイズ：直径100mm
1300円/時間
段差計 （装置番号：30）
Dektak150 アルバック社製
触針式
垂直分解能：10nm
測定距離：50μm～55mm
600円/時間
薄膜作製装置
薄膜作製装置
抵抗加熱蒸着装置（装置番号：V9）
EBV-6DH アルバック社製
700円/時間
超高真空蒸着装置（装置番号：V18）
ND-S4401 シンク社製
500円/時間
5,600円/１回
プローブ顕微鏡
プローブ顕微鏡
オージェマイクロプローブ(AES)（装置番号：V10）
JAMP-7800 日本電子社製
1000円/時間
プローブ顕微鏡 AFM（装置番号：V11）
NanoScopeIIIa ビーコ社製
500円/時間
液中原子間力顕微鏡 Liquid AFM （装置番号：V12）
Picro Probe 5500SPM Agilent社製
500円/時間
分光評価装置
分光評価装置
顕微ラマン評価装置 RAMAN （装置番号：V14）
inVia Reflex レニショー社製
1300円/時間
散乱評価装置
散乱評価装置
X線回折装置 X-ray （装置番号：V15）
スマートラボ リガク社製
1300円/時間
分子シミュレーションシステム
ナノ構造設計システム(CAD)
ライフサイエンスモジュール（ダッソーシステム社 Biovia Discovery Studio）
生体高分子の構築と可視化、分子力場計算（CHARMm、CFF）、多様なコンフォメーション解析、ドッキング、生体高分子モデリングと立体構造予測、など多様なシステムを含んでいます。
マテリアルサイエンスモジュール（ダッソーシステム社 Biovia Material Studio）
最先端材料の分子結晶構造の予測、モデルの構築、量子力学計算や、ポリマーの物性、局所構造の計算が可能です。
クリーンルームと設備
VBLのクリーンルームは200m2の広さで、フロンティアデバイス室（クラス10,000）とナノプロセス室（クラス1,000)の２つの部屋に区切られています。それぞれの部屋に酸用と有機用のクリーンドラフトが合計７台設置されており、酸用には超純水（18MΩ・cm)の蛇口があるので直ぐに利用できます。
また、全てのドラフトに窒素ガンが付いています。光学顕微鏡、実体顕微鏡、ベーク炉、ホットプレート、超音波洗浄機、UVドライクリーナー、プラズマアッシャーなどの必需品が備えられていますので、非常に利用しやすい環境となっています。
ドラフトチャンバー 7台
超純水設備 18MΩ・cm
オーブン 2台
ホットプレート4台
クリーンウエア・シューズ
利用申し込み
装置等の利用申し込み方法を簡略化しました。
申請書類一覧
