VBLセミナー・講習会 (2007年度)
- 平成19年度 第4回VBLセミナー
- 平成19年度 第3回VBLセミナー
- 平成19年度 第2回VBLセミナー
- 平成19年度 第1回VBLセミナー
- 平成19年度 安全講習会
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- 日時： 平成19年11月22日(木) 13:30〜15:00
Thursday 22, November 2007, 13:30-15:00
- 場所： 名古屋大学フロンティアプラサ（VBL) 4階セミナー室
Seminar room, 4th floor, Frontier Plaza (VBL)
- Title: Growth of III-Nitride Semiconductors by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy
- Prof. Min Yang (VBL invited researcher 1 Aug. 2007〜30 Nov. 2007)
Division of Nano Data System, Korea Maritime University, Korea
We performed the growth of III-nitride semiconductors by the mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method in which the metal-chlorides were formed by the reaction of HCl gas with mixed form of group III metals. For the growth of AlGaN layers, mixed form of gallium (Ga) and aluminum (Al) metals were used for the reaction of metal-chloride sources. We could control the Al composition of the AlGaN layers from 0.6% to 80% by the variation of source zone temperature. For the growth of conductive III-nitride semiconductors, tellurium (Te) was used as n-type doping material in GaN and AlGaN layers in the mixed-source HVPE. For the case of GaN layers, the maximum carrier concentration was 8X1018cm-3. Mixed form of indium (In) and gallium (Ga) metals were used as metal-chloride sources for the growth of InGaN layers. Optical properties of the InGaN layers were investigated by cathodoluminescence (CL) measurement. We fabricated non-phosphor white LED structures which have InAlGaN active layers by using of multi-bin sliding graphite boat in the mixed-source HVPE system. With the addition of indium into the AlGaN active layers, the electroluminescence (EL) spectrum became broadened over the whole visible range. We could also make InGaN micro-structures by the mixed-source HVPE on sapphire and silicon substrates. The size and shapes of the InGaN micro-structures were dependent on growth temperature. Especially for the case of r-plane sapphire, nano-sized hexagonal pillars could be obtained.
- 連絡先：
山口雅史（工学研究科・電子情報システム専攻）
Contact to Assoc. Prof. Masahito Yamaguchi
Tel: 052-789-3638, Fax: 052-789-3156
E-mail: yamaguti@ nagoya-u. jp
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- 日時： 平成19年9月27日(木) 13:30〜16:00
- 場所： 名古屋大学フロンティアプラサ（VBL) 4階セミナー室
- 13:30-13:45
序論：タンパク質結晶構造解析の手法の紹介
山根 隆（工学研究科・生物機能工学分野）
- 13:50-14:50
”SAD application with laboratory source X-ray data (CuKα and CrKα)”
Prof. Devadasan Velmurugan (VBL invited researcher 2 Sept. 2007〜30 Sept. 2007)
Department of Crystallography and Biophysics, University of Madras, India
- 15:00-16:00
Title： PSAP: Protein Structure Analysis Package
Dr. Kanagaraja Sekar (VBL invited researcher 2 Sept. 2007〜
30 Sept. 2007)
Indian Institute of Science, Bangalore, India
- 連絡先：
山根 隆（工学研究科・生物機能工学分野）
Tel: 052-789-3339；Fax: 052-789-3218
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- 日時： 平成19年7月10日(火) 13:30〜14:30
- 場所： 名古屋大学フロンティアプラサ（VBL) 3階ミーティングルーム
- 講師： 劉 暁峻 （VBL招聘研究員） 南京大学教授
- 題目： 「High-pressure Raman scattering technique
and its applications」
要旨：
High-pressure techniques represent potentially useful approach to investigate the physics behind high-pressure phenomena and provide some applications such as controlling the arrangement of atomic/molecular layers on the atomic and nanometer scales. Among them, high-pressure Raman scattering technique is a very inportment method to investigate the pressure effects on the optical phonons. From the pressure-induced shifts in the phonon energies, information on interatomic binding forces in crystals, charge transfer effects and structural instabilities can be extracted. In my talk, high-pressure Raman scattering results on carbon nanotubes and mixed-valence gold complexes are presented and discussed.
- 問い合わせ先：
名古屋大学大学院工学研究科
マテリアル理工学専攻応用物理学分野
中村新男
Tel:052-789-4450、Fax:052-789-5316
E-mail: nakamura@nuap.nagoya-u.ac.jp
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- 日時： 平成19年7月4日(水) 13:30〜14:30
- 場所： 名古屋大学フロンティアプラサ（VBL) 3階ミーティングルーム
- 講師： 前田 勝浩 特任講師 （名古屋大学高等研究院）
- 題目： マサチューセッツ工科大学（MIT）に滞在して
要旨：
平成１８年８月２日から平成１９年１月３１日までの約６ヶ月間、VBL海外研究開発動向調査として米国マサチューセッツ州のマサチューセッツ工科大学（MIT）のSwager教授の研究室に滞在し、研究を行う機会を頂きました。Swager教授は高分子を基本骨格とする機能性分子の設計とその応用を目指した研究を展開されていて、ポリフェニレンエチニレンなどのπ-共役高分子を様々な官能基で修飾したポリマーを設計・合成し、イオンやタンパク質の塩基配列、有害化合物等の様々な標的分子の高感度な検出が可能なセンサーの開発に成功しています。特に、地雷などの爆薬の原料となるトリニトロトルエン(TNT)やジニトロトルエン(DNT)などの爆発性化合物の高感度な検出が可能なポリマーの開発は有名です。私も、本滞在中に高感度な化学センサーの開発を目指して、新規ポリマーの合成とその評価に取り組んできました。本講演では、現地での生活のエピソードを交えて本留学の研究成果について紹介します。
- 問い合わせ先：
名古屋大学高等研究院
前田 勝浩
Tel:052-789-4822
E-mail: maeda@apchem.nagoya-u.ac.jp
ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(VBL)実験設備利用者を対象に安全講習会を開催します。
今年度から１・２階実験設備の利用を予定している教職員・大学院生及び卒研生は全員ご出席下さい。
すでに利用しているが講習を受講していない方もこの機会に受講してください。
また、クリーンルーム利用者は講習会への参加が義務付けられています。
参加されていない方はカード発行いたしませんので新規利用者、未受講者は必ず参加して下さい。
今年度は過去に受講された方は自由参加といたします。
日時: 6月8日(金) 10:30-12:00
場所: フロンティアプラザ (VBL) 3階 ベンチャーホール
内容:
- 建物の安全設備について
- 高圧ガス、特殊材料の安全管理について
- 薬品及び廃液の取扱について
- クリーンルームの使用方法について
(クリーンルーム利用者が対象となります)
終了後、希望者には空気呼吸器の着用練習を行います。