名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
（名古屋大学電気系２１世紀ＣＯＥ 「先端プラズマ科学が拓くナノ情報デバイス」共催）
| １３：００ | ＶＢＬ長挨拶 | |||
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１３：０５ |
Ｎａ系フラックス法によるＧａＮ単結晶の育成森 勇介 大阪大学工学研究科 |
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| １４：０５ |
AlGaN中のディープレベルの評価大坂次郎 名古屋大学 工学研究科 電気系COE |
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| １４：４０ |
ＲＦ−ＭＢＥ法による高品質ＩｎＮ薄膜の結晶成長と極微構造評価荒木 努 立命館大学理工学部 |
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１５：４０ |
休憩 | |||
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１５：５０ |
ＭＯＶＰＥ選択成長法によるＧａＮ微細構造の作製と評価本田善央、山口雅史、澤木宣彦 名古屋大学工学研究科 |
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１６：２５ |
ＧａＮ系半導体レーザ油利正昭 松下電器産業 |
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１７：２５ |
Ｘ線ＣＴＲ散乱法を用いた半導体薄膜多層構造の解析田渕雅夫、竹田美和 名古屋大学ＶＢＬ |
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１８：００ |
懇親会 | |||
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９：００ |
カーボンナノチューブの光学非線形性中村新男 名古屋大学工学研究科 |
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９：３５ |
カーボンナノチューブのデバイス応用松本和彦 大阪大学産業科学研究所 |
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１０：３５ |
休憩 | |||
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１０：４５ |
ラジカル制御プラズマＣＶＤによるカーボンナノウォールの創成とディスプレイデバイスへの応用堀 勝 名古屋大学工学研究科 |
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１１：２０ |
カーボンナノチューブ電界エミッタのＴＥＭその場観察世古和幸 名古屋大学工学研究科 |
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１１：５５ |
カーボンナノチューブＦＥＴの作製と評価大野雄高 名古屋大学工学研究科 |
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