| Mevlana C. Baykul | オスマンガジ大学 助教授 | 01.07.02～01.11.02 |
| Devadasan Velmurugan | マドラス大学 教授 | 01.07.26～01.10.23 |
| Bezhan Chankvetadze | トビリシ大学 教授 | 01.08.05～01.09.15 |
| Norbert Karl | シュツットガルト大学 教授 | 01.09.07～01.10.17 |
| Mehmet Cevat Acet | デュイスブルグ大学 助教授 | 01.12.01～02.01.31 |
| Sergey Gastev | ヨッフェ物理工学研究所 上級研究員 | 01.12.16～02.02.15 |
| Esther Belin | フランス国立研究機構 所長 | 01.2.1～01.3.31 |
| 安 亨洙 | 韓国海洋大学 講師 |
01.12.22～02.02.02 |
| John Hak Shan Lee | マックギル大学 教授 |
02.02.03～02.03.02 |
| 岩井一彦 | 工学研究科 助教授 | EPM-MADYLAM研究所 | 01.07.25～01.12.27 |
| 伊藤 孝至 | 工学研究科 助手 | ドレクセル大学 | 01.08.27～02.02.26 |
| 山口 雅史 | 工学研究科 助手 | ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所 | 01.09.02～02.02.28 |
| N. Karl | シュツットガルト大学 | 擢rom Bulk Conduction in Organic Semiconductors ot Organic Thin Film Transistors |
| 谷村克己 | 大阪大学 | 「半導体表面の電子励起原子過程」 |
| 山内武志・中村新男 | 名古屋大学 | 「走査トンネル分光でみたInGaAs単一量子ドットの量子サイズ効果と合金化」 |
| 竹田美和・田渕雅夫 | 名古屋大学 | 「半導体へテロ界面の急峻性-III族原子が急峻性を妨げる-」 |
| 澤木宣彦 | 名古屋大学 | 「シリコン基板上への窒化物微構造の作製」 |
| 酒井 朗・財満鎮明・安田幸夫 | 名古屋大学 | 「窒化物及びIV族半導体薄膜における転位形態の制御」 |
| 水谷 孝 | 名古屋大学 | 「半導体表面電位のケルビンプローブフォース顕微鏡測定」 |
| 上原洋一 | 東北大学 | 「原子位置分解能の表面化学組成計測」 |
| 丹司敬義 | 名古屋大学 | 「ローレンツ顕微鏡法による新磁性材料の観察」 |
| 大津元一 | 東京工業大学 | 「近接場光によるナノフォトニクスの進展」 |
| 第1回 | 2001/05/30 | |
| 山本智代 | 名古屋大学 | |
| 前澤宏一 | 名古屋大学 | |
| 第2回 | 2001/09/03 | |
| B. Chankvetadze | トビリシ大学 | |
| L. Chankvetadze | トビリシ大学 | |
| 第3回 | 2001/09/28 | |
| D. Velmurugan | マドラス大学 | |
| S. S. S. Raj | 名古屋大学 VBL | |
| 第4回 | 2001/11/01 | |
| M. C. Baykul | オスマンガジ大学 | |
| 羊 億 | 名古屋大学 VBL | |
| 第5回 | 2002/01/21 | |
| 安 亨洙 | 韓国海洋大学 | |
| M. C. Acet | デュイスブルグ大学 | |
| S. Gastev | ヨッフェ物理工学研究所 | |
| 第6回 | 2002/02/27 | |
| J. H. S. Lee | マックギル大学 | |
| 第7回 | 2002/03/11 | |
| B. Ray | 名古屋大学 VBL | |
| D. Cho | 名古屋大学 VBL | |
| M. Maksimuk | 名古屋大学 VBL | |
| X. Chen | 名古屋大学 VBL |
| 第1回 | 2001/05/01 | |
| 塚越一仁 | 理化学研究所 | |
| 第2回 | 2001/06/29 | |
| 各務正一 | （株）東芝 セミコンダクター社 | |
| 前田健夫 | ㈱東芝 セミコンダクター社 | |
| 第３回 | 2001/10/09 | |
| K. H. Ploog | ポール・ドルーデ研究所 |